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81.
文章在三星公司的嵌入式处理器S3C2410A为核心的硬件平台上,将嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ和μC/GUI在ARM9上整合实现,成功地实现了基于μC/OS-Ⅱ在S3C2410A上的双向串口通信功能。 相似文献
82.
利用C51编译器的BANK编译模式解决MCS-51系列单片机程序存储空间受64KB限制的问题,分析Keil C51编译器在BANK编译模式下的切换过程,提供一种软硬件的设计方法,并对设计的正确性进行了验证,从而解决了航天器设备典型单片机只能提供16B地址线对程序代码寻址的问题. 相似文献
83.
基于人工鱼群算法的单机场地面等待优化策略 总被引:4,自引:0,他引:4
目前大型机场拥塞问题日益严重.推迟飞机起飞时间,将成本较高的空中等待转化成地面等待,是进行空中交通流量管理的一个有效方法.本文研究基于人工鱼群算法的单机场地面等待优化策略并进行仿真,有效地减少了总的地面等待延误损失,说明该方法是可行的;通过与其他几种智能算法的比较,验证了该算法执行效率高、实用性强. 相似文献
84.
浸渗时间对C/C-SiC复合材料显微结构和力学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用反应熔体浸渗法,经不同的浸渗时间渗Si制备了3种不同的C/C-SiC复合材料,测试了材料的增重率、体积密度、断裂韧性及三点弯曲强度,分析了材料的物相组成,并观察了材料的显微结构.结果表明,在得到的C/C-SiC复合材料中,主要存在纳米级和微米级2种尺度的SiC颗粒,随着浸渗时间延长,材料的体积密度和SiC含量随之增加,但抗弯强度随之降低.浸渗时间从0.5 h延长到5 h,材料的密度从2.16 g·cm-3增加到2.21 g·cm-3,SiC的质量百分含量从21.54%增加到31.72%,三点弯曲强度从133 MPa下降到86 MPa,3种复合材料均表现出一种类似于金属材料的非脆性断裂行为,断裂应变约为1.3%,断裂韧性为9~10 MPa·m1/2. 相似文献
85.
86.
SRAM FPGA电离辐射效应试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对SRAM FPGA空间应用日益增多,以100万门SRAM FPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66 MeV·cm2/mg,出现SEU(单粒子翻转);LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66~64.8 MeV?cm2/mg范围内,未出现SEL(单粒子锁定);试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75 krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效。试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI。SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(TMR)配合定时重新配置(Scrubbing)。关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA。 相似文献
87.
为研究核电磁脉冲对计算机系统的效应,利用核电磁脉冲源产生的模拟核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明,单片机系统在核电磁脉冲作用下,可出现死机等多种故障现象。在实验的基础上,分析了死机产生的原因及加固方法,并通过实验验证了指令冗余、软件陷阱和看门狗等措施对防止单片机死机的有效性。 相似文献
88.
89.
为了满足无人机三轴加速度测量与控制的需要,设计了一种简易、方便的加速度采集系统.本系统采用高集成度单片机C8051F020进行多通道数据的采集和A/D 转换,在单片机内部完成数据存储、数据处理,再利用串行通信接口将数据传送至上位机,然后由无线发射模块发送至地面接收设备.在试验条件下,可以将采集到的数据传送至PC机进行分析或者由液晶显示仪显示. 相似文献
90.